Исследование передаточной характеристики ключа. В схеме на рис.4.7 установить форму импульсов: „треугольные”

В схеме на рис.4.7 установить форму импульсов: „треугольные”. Включить режим моделирования. С помощью визирных линий, построить передаточную характеристику UВЫХ=f(UВХ) ключа при 0<UВХ<UПИТ. Определить значения входного напряжения, которые соответствуют границам высокого и низкого значений выходного напряжения.

Таблица 4.3 Значения входного напряжения, которые определяют границы высокого и низкого значений выходного напряжения

UВЫХ, B   11,757 10,311 7,685 2,654 1,386 0,360
UВХ, B 1,9 2,789 4,076 5,31 7,725 8,53 10,3
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       
                                       

Рисунок 4.9 - Передаточная характеристика UВЫХ=f(UВХ) ключа при 0<UВХ<UПИТ

Выводы:

В ходе выполнения лабораторной работы были исследованы режимы работы ключа на биполярном транзисторе, на биполярном транзисторе с диодом Шоттки и ключа на КМДН – транзисторах. Были построены передаточные характеристики ключей.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: