2015-05-10
418
Собрать схему, показанную на рис. 4.4 (параметры функционального генератора, значения сопротивления резисторов, напряжение источника питания – как в п.5.3.1).
Рисунок 4.4 – Схема для исследования ключа на биполярном транзисторе с диодом Шоттки
Включить режим моделирования. Зарисовать осциллограммы входного и выходного сигналов. Измерить динамические параметры ключа аналогично п.4.2.1. Сравнить результаты исследований по результатами п.4.2.1.
Рисунок 4.5 – Форма входного и выходного сигналов ключа на биполярном транзисторе с диодом Шоттки
tзад = 7.074 ns
tф = 8.32 ns
tрасс = 4.3 ns
tсп = 50.347 ns
