Характеристики транзистора

Зависимость между силами тока и напряжениями на входе и выходе транзистора изображают в виде семейств статических характеристик. Обычно используют два вида характеристик: входные и выходные. Входная характеристика для схемы с общим эмиттером представляет собой зависимость силы тока базы IБ от напряжения между базой и эмиттером UЭБ при постоянном напряжении между эмиттером и коллектором UЭК : (рис.6, а)

IБ = f (UЭБ) (при UЭК = const).

Выходная характеристика представляет собой зависимость коллекторного тока IК от напряжения между эмиттером и коллектором UЭК при постоянном токе базы IБ: (рис.6, б)

IК = f (UЭК) (при IБ = const).

Параметрами транзистора являются входное и выходное сопротивления и коэффициент усиления транзистора.

а) б)
Рис.6

Входное и выходное сопротивления транзистора при схеме включения с общим эмиттером определяются по формулам

(при UЭК = const), (2)

(при IБ = const). (3)

Одной из основных характеристик транзистора является коэффициент усиления транзистора по току

(при UЭК = const). (4)

Он находится из выходных характеристик для разных значений силы тока базы IБ (рис.6, а). Однако данную характеристику удобно находить из зависимости IК от IБ при фиксированном значении UЭК (рис.7).

Схема включения транзистора с общим эмиттером является наиболее распространенной, так как она по сравнению с двумя другими схемами имеет наиболее высокий коэффициент усиления по току.

Рис.7


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: