Порядок выполнения работы. 1. Для данного транзистора, используя справочные данные, определить тип, рисунок и расположение электродов и выписать эксплуатационные параметры

1. Для данного транзистора, используя справочные данные, определить тип, рисунок и расположение электродов и выписать эксплуатационные параметры.

2. Составить принципиальную схему для исследования входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общим эмиттером, с учетом его структуры. (Обратить внимание на правильность полярности подключения источников питания).

Рисунок 17 - Схема исследования характеристик транзистора

4. Составить монтажную схему подключения транзистора к макетной плате с учетом соответствия выводов разъема мнемосхеме на стенде: база, коллектор, эмиттер.

5. Собрать схему для проведения исследования. Для этого с помощью длинных перемычек: коллекторную цепь(короткую перемычку ПК убрать) вывести на наборное поле стенда УИЛС (Х5 и Х6) и подключить рассчитанное сопротивление Rк последовательно с амперметром; к базовой цепи(короткую перемычку Пб убрать) подключить миллиамперметр (Х7 и Х8).
6. Снять семейство входных характеристик IБ = f(UБЭ) при:

UKЭ = 0;

UKЭ = 0.1UKЭ max;

UKЭ = 0.5UKЭ max.

Для этого изменяя напряжение UБЭ (на макетном поле и контролируя его с помощью прибора) в соответствии с таблицей регистрируют базовый ток IБ при заданных значениях UKЭ.

Таблица 11.

UБЭ,V   0.1 0.2 0.3 0.4 0,5 0,7   1,5      
IБ при UKЭ = 0, V                        
IБ при UKЭ = k1*·UKЭ max,V                        
IБ при UKЭ = k2*·UKЭ max,V                        

* -- задается преподавателем

7. Снять семейство выходных характеристик IK = f(UKЭ) при:

IБ= 0.05IБ max;

IБ = 0.1 IБ max;

IБ = 0.2 IБ max.

Для этого изменяя напряжение UKЭ (на макетном поле и контролируя его с помощью прибора) в соответствии с таблицей регистрируют ток коллектора IK при заданных значениях IБ.

Таблица 12

UKЭ,V   0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0
IK при IБ= 0.05IБ max, мА                            
IK при IБ = 0.1 IБ max, мА                            
IK при IБ = 0.2 IБ max, мА                            

Указанные значения тока базы могут изменяться в зависимости от используемого транзистора и должны уточняться у преподавателя.

8. Обработка результатов экспериментов.

Построить графики зависимостей входных и выходных характеристик транзистора, выбрать рабочую точку и рассчитать h-параметры схемы замещения транзистора:

Коэффициент усиления по току при UKЭ = 9 В.

Входное сопротивление при UKЭ = 4,5 В.

Выходную проводимость .


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: