На практике приходится иметь дело не с идеальными диэлектриками, а с техническими – неоднородными, обладающими некоторой степенью электропроводимости. Электропроводимость технических диэлектриков объясняется наличием свободных зарядов в тех случаях, когда внутри атомные связи отсутствуют и в этом случае под действием электрического напряжения в изоляционном материале возникает ток проводимости. В связи с этим отмеченным явлением качество диэлектрика можно охарактеризовать удельной объемной проводимостью и удельной поверхностной проводимостью, – величинами, обратными и соответствующими удельным значениям объемного и поверхностного сопротивлений.
В результате воздействия внешнего поля на диэлектрик в нём создаётся особое напряженное состояние, именуемое электрической поляризацией. Различают несколько видов поляризации:
– электронная – возникновение не симметричности атомов под
воздействием электрического поля. Подобное возможно и для молекул;
– дипольная – приобретение, по направлению внешнего поля, составляющего момента у дипольных молекул;
– внутрислоевая – накопление (абсорбция) зарядов в пограничных слоях, имеющих отличающие проводимости и диэлектрические проницаемости,
Степень поляризации ёмкости оценивается по разности заряда такой же ёмкости, но при наличии вакуума вместо диэлектрика между обкладками.
Внутрислоевая поляризация – это медленный процесс, соизмеримый по времени с частотой переменного тока 50Гц или превышающего его, если изоляция сухая. При сильном увлажнении диэлектрика постоянная времени внутрислоевой поляризации резко уменьшается. Следовательно, исследование абсорбции в какой-то мере может характеризовать состояние изоляции. При медленной поляризации энергия поляризации возвращается источнику питания не полностью и часть её рассеивается в виде тепла. Помимо указанных затрат энергии, возможны дополнительные потери, если возник ток сквозной проводимости. Отражая описанные явления, можно составить электрическую схему замещения диэлектрика (рисунок 1.1). Все потери энергии в диэлектрике, рассеиваемые при приложении к нему переменного напряжения, называют диэлектрическими потерями.
– геометрическая емкость (ёмкость вакуума и мгновенной поляризации); – сопротивление сквозной проводимости; Сабс и – цепочка абсорбирующей составляющей и потерь диэлектрика;
С', С", R – цепочка, в которой возможны потери из-за ионизации при наличии искрового промежутка S.
Рисунок 1.1 – Схема замещения диэлектрика
Обычно потери от проходящих через диэлектрик токов сквозной проводимости по сравнению с потерями на поляризацию малы и имеют значение лишь при весьма большом увлажнении или больших положительных температурах. Векторная диаграмма токов, проходящих через диэлектрик, при приложении переменного напряжения будет иметь вид, приведённый на рисунке 1.2.
– ток, обусловленный мгновенной поляризацией;
– ток абсорбционной составляющей (замедленной поляризации);
– ток сквозной проводимости.
Рисунок 1.2 – Векторная диаграмма токов в диэлектрике
Как видно из диаграммы, диэлектрические потери обуславливают наличие активной составляющей токов , в силу чего сдвиг фаз между напряжением U и током отличается от 90 градусов на угол δ, называемый углом диэлектрических потерь. Чем больше угол δ, тем больше энергия рассеивания и, следовательно, диэлектрик менее качественен, а это может вызвать в свою очередь перегревы. Полные потери в диэлектрике составляют:
, (1.1)
где U – напряжение, приложенное к диэлектрику;
Сх – ёмкость объекта;
IС – реактивная составляющая ().
Исходя из этих соотношений и векторной диаграммы, состояние изоляции можно характеризовать величиной:
. (1.2)
В практике измерений, чтобы не оперировать малыми цифрами, абсолютное значение часто принято выражать в процентах:
. (1.3)
Из рассмотрения эквивалентной схемы можно сделать ряд выводов:
– при увлажнении диэлектрика или нагрева его сопротивления и уменьшается и, следовательно растёт,
– все измерения необходимо выполнять при определенной установленной частоте переменного тока,
– угол диэлектрических потерь почти не зависит от геометрических размеров однородного диэлектрика в силу пропорциональности изменения активной и реактивной составляющих токов,
– местный, а также, сосредоточенный дефекты ухудшения диэлектрика, например при увлажнении, могут быть не выявлены при измерении так как токи, определяемые дефектом, могут оказаться значительно меньшими токов ёмкости в целом,
– по мере увеличения приложенного напряжения к диэлектрику отмечается весьма незначительное изменения . Лишь после того как возникает ионизация во включениях диэлектрика, вызывающая дополнительные потери, будет резко возрастать,
– при отрицательных температурах, когда влага диэлектрика переходит в твердое состояние, состояние изоляции по потерям трудно распознаваемо.
При эксплуатационных измерениях одновременно измеряется и ёмкость, которая также в известных приделах может служить показателем состояния диэлектрика. При значительном увлажнении диэлектрика изменяется характер релаксационного процесса и, следовательно, по ёмкости возможно судить о состоянии изоляции. Так, измеряя ёмкость, устанавливают объемное увлажнение или загрязнение, при котором изменяется диэлектрическая постоянная и, следовательно, значение емкости; старение материала. Развивая методику измерения, основанную на поляризационных процессах, для определения состояния и, главным образом, степени увлажнения диэлектриков применяют методы, дающие возможность сопоставлять ёмкости или сопротивления при разных температурах или за некоторый промежуток времени, например измерение сопротивления изоляции мегомметром через 15 и 60 секунд.
Измерение ёмкости при разных частотах (2, 50, 200 Гц) переменного тока также дает возможность судить о степени увлажнения и в настоящее время используется в технике. Например, прибор ПКВ-7.
Действие прибора ПКВ-7 основано на измерение емкости объекта при частотах 2 и 50Гц. О качестве изоляции судят по отношению:
. (1.4)
Зависимость от частоты описывается уравнением:
, (1.5)
где ω – угловая частота,
τ – постоянная времени,
S – величина, имеющая размерность проводимости,
G – проводимость сквозного тока,
Сг – геометрическая емкость.
Зависимость (1.5) соответствует графику , приведённому на рисунке 1.3.
На ряду с существует величина, называемая добротностью изоляции Q, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь:
. (1.6)
2 Измерение при помощи моста Р5026
Образец диэлектрика с потерями может быть представлен в виде эквивалентной последовательной или параллельной схемы. Независимо от выбора эквивалентной схемы замещения ряд параметров, характеризующих ее, остается неизменным. К ним относятся сдвиг фазы между током I в неразветвленной части цепи и падением напряжения U на всей цепи, значение этого тока I и напряжения U, диэлектрические потери Р.
Рисунок 1.3 – Зависимость
Рисунок 2.1 – Последовательная эквивалентная схема замещения и векторная диаграмма образца изоляционного материала
Из всех способов измерения емкостей методом сравнения большей точностью обладают мостовые схемы при переменном напряжении. В технике высоких напряжений получили широкое распространение и хорошо себя зарекомендовали для измерения диэлектрических потерь мосты Шеринга и их разновидности, предназначенные для некоторых специальных измерений. Преимуществом мостов Шеринга является то, что емкость и объекта могут быть измерены при напряжениях вплоть до номинальных.
Рисунок 2.2 – Параллельная эквивалентная схема замещения и векторная диаграмма образца изоляционного материала
Схема подобрана так, что на уравновешивающих элементах R 4, C 4 и R 3 возникает падение напряжение всего в несколько вольт. Если же произойдет пробой или перекрытие конденсаторов С х или С 0 и между выводами А и В возникает высокое напряжение, то уравновешивающие элементы и обслуживающий персонал будут защищены разрядником, как правило заполненным инертным газом. Уравновешивание моста осуществляется изменением R 3 и С 4. В уравновешенном состоянии точки А и В имеют одинаковые потенциалы, и через чувствительный индикатор не протекает тока. В этом случае коэффициенты деления делителей, образованных плечами моста Zx – Z3 и Z0 – Z4одинаковы и
. (2.1)
Р 1, Р 2 – защитные разрядники;
Сх – ёмкость измеряемого объекта;
С 0 – ёмкость эталонного конденсатора без потерь;
Рисунок 2.3 – Принципиальная схема моста Шеринга
Уравнение (2.1) является исходной базой для вывода условий равновесия моста переменного напряжения с пассивными элементами. Если сравнить действительные и мнимые части полных сопротивлений, то получатся уравнения для определения реактивного сопротивления и .
Например, для моста Шеринга , , , имеем
, (2.2)
, (2.3)
. (2.4)
Сравнение действительных и мнимых частей дает
; . (2.5)
Тангенс угла диэлектрических потерь определяется так:
. (2.6)
Рассчитанная из приведенных условий равновесия моста емкость Сх является емкостью для последовательной схемы замещения: мост Шеринга измеряет емкость и , соответствующий последовательной схеме замещения объекта. Исходя из уравнения 2.6
, (2.7)
где f – частота (равная 50 Гц).
Получим, приняв значение ,
. (2.8)
Таким образом, при , численно равен емкости выраженной в микрофарадах, в связи с этим шкалы ручек емкости С4 снабжают делениями непосредственно указывающими значение измеренного .
Для схем, представленных на рисунках 2.1 – 2.2 справедливы следующие соотношения
для последовательной
; , (2.9)
для параллельной
, . (2.10)
Эти соотношения ещё более упрощаются при . Так как при этом , то с погрешностью, не превышающей ±1%, можно считать
; . (2.11)
Емкость Ср в эквивалентной параллельной схеме обычно принимают за емкость Сх образца или изделия. Таким образом, обычно, применительно к испытуемому образцу или изделию, рассматривают параллельную схему замещения.
Мост Р5026 предназначен для измерения емкости и на частоте 50Гц. Измерения осуществляется при высоком напряжении по "прямой" (оба электрода изолированы от земли) и по "перевернутой" схемах (один электрод измеряемого объекта заземлен), при низком напряжении (от встроенного источника питания) – по "прямой" схеме.
Измеряемый образец включается в плечо АС (рисунок 2.4), в плечо ВС включается образцовый конденсатор (Р5023). Два другие плеча моста, состоящие из магазинов сопротивления и емкости, служат для уравновешивания моста.
В качестве нуль-индикатора НИ в мосте используется чувствительный транзисторный избирательный усилитель, на выходе которого включен стрелочный прибор. Питание усилителя осуществляется от встроенных элементов питания типа 373 (2шт).
Питание моста при измерении на низком напряжении осуществляется от сети переменного тока при помощи встроенного трансформатора. Для измерения на высоком напряжении необходима внешняя цепь питания.
Все элементы измерительного устройства (находящиеся под высоким напряжением при измерениях по "перевернутой" схеме) расположенные на внутренней панели, окружены экраном и изолированы от корпуса и наружной панели моста при помощи изоляторов. Корпус моста, его наружная и лицевая панель служат внешним электростатическим экраном и при работе моста заземляются.
Мост Р5026 позволяет производить измерение емкости и :
а) по "прямой" схеме на высоком напряжении,
б) по "перевернутой" схеме на высоком напряжении,
в) по "прямой" схеме на низком напряжении,
г) по "прямой" схеме на высоком напряжении с устройством защитного потенциала (УЗП) Ф5122 и блоком конденсаторов Р5069.
УЗП служит для установления напряжения точки В (рисунок 2.2) по отношению к земле равным нулю, при этом исключается появление токов утечки. При равновесии моста напряжение между вершинами А и В отсутствует, следовательно напряжение точки А также равно нулю относительно земли. УЗП обеспечивает эквипотенциальность экранов моста и измерительной диагонали.
Блок конденсатов предназначен для компенсирования индуктивной составляющей тока идущего от трансформатора напряжения (источника высокого напряжения) к объекту измерения.
Рисунок 2.4 – Электрическая принципиальная схема работы моста на высоком напряжении по «прямой» схеме
Рисунок 2.5 – Монтажная принципиальная схема работы моста на высоком напряжении по «прямой» схеме
Из рисунков 2.4 – 2.5 видны основные особенности работы схемы:
а) высокое напряжение полностью прикладывается к испытуемому образцу Сх;
б) экраны моста заземлены;
в) магазинами сопротивления и емкости уравновешивается ток стекающий с образца при приложении к нему высокого напряжения;
г) при пробое Сх или С 0 измерительный механизм (НИ) и обслуживающий персонал будет защищен от действия высокого напряжения защитными разрядниками P 1 и P 2.
Особенности работы схемы, приведённой на рисунках 2.6 – 2.7:
а) высокое напряжение прикладывается непосредственно к мосту;
б) экран, магазины сопротивления и емкости, нуль-индикатор оказываются под высоким напряжением;
в) магазины сопротивления и емкости уравновешивают ток протекающий через мост в объект измерения.
Рисунок 2.6 – Принципиальная электрическая схема работы на высоком напряжении «перевёрнутой» схемы
Рисунок 2.7 – Принципиальная монтажная схема работы на высоком напряжении «перевёрнутой» схемы
Электрическая схема измерения и емкости на низком напряжении эквивалентна "прямой" схеме работы моста на высоком напряжении за исключением того, что в цепь питания схемы последовательно включается ограничительный конденсатор, который вмонтирован внутрь моста.
Рисунок 2.8 – Монтажная схема работы на низком напряжении
Наибольшей точностью измерения емкости и на высоком напряжении обладает "прямая" схема, в связи с тем что при работе по "перевернутой" схеме емкость и сопротивление изоляции обмотки высокого напряжения (собственно емкость обмотки, ввода и коронирующих соединительных проводов) оказывается присоединенными параллельно испытуемому объекту.
Поэтому для уменьшения погрешности с начала уравновешивают мост с отсоединенным испытуемым объектом, тем самым определяя внешнее влияние, а затем производят испытание объекта.
Чтобы уменьшить ошибку, обусловленную внешним влиянием, производят два измерения с изменением фазы испытательного напряжение на 180°. Величину испытуемой изоляции определяют как среднее или средневзвешенное двух измерений, т.е. по формулам
или ,(3.18)
где и – значение сопротивления соответственно при первом и втором измерениях.
Ошибки при таких измерениях имеют разные знаки и при усреднении результатов отчасти компенсируются.
В настоящее время в эксплуатации в основном используются мосты переменного тока Р595 и Р5026. Мост Р5026 является более поздней модификацией Р595, несколько улучшающий эксплутационные характеристики.