Описать ступенчатый механизм роста Sb при крист-ии?

Так как энтропия плавления высокая, граница раздела атомно-гладкая и основной рост кристаллов ступенчатый. В случае атомно-гладкой границы все позиции атомов поверхностного слоя кристалла заняты. Одиночный атом, оседающий на гладкой поверхности, слабо связан с кристаллом. Значительно сильнее будет связь с оседающим атомом, если он окажется на ступеньке 2 и, еще сильнее – в изломе ступеньки 3. Часть атомов, оседающих на гладкой поверхности, из-за теплового движения будет уходить обратно в жидкость, а часть, блуждающая на поверхности, присоеди­нится к ступеньке и к излому на ней. В результате этого сту­пенька будет продвигаться вдоль поверхности кристалла. Такой рост наз-ют ступенчатым или боковым, тангенциальным.

Когда продвижение ступеньки приведет к завершению построй­ки атомного слоя, дальнейший рост кристалла потребует обра­зования двумерного зародыша следующего слоя 4. Флуктуационное образование та­кого зародыша является узким звеном процесса роста кристал­ла: необходимо одновременное закрепление на атомно-гладкой поверхности значительного кол-ва атомов, что требует боль­ших переохл-ий.

Ступенчатый (тангенциальный) рост кристалла существенно облегчается, если на его поверхность выходит винтовая дисло­кация.