а) | б) |
Дрейфовый (а) и диффузионный (б) токи в полупроводнике. | |
Подвижность носителей заряда |
.
Плотность тока в полупроводнике, обусловленного дрейфом свободных электронов под действием внешнего электрического поля со средней скоростью , определяется выражением
Перемещение (дрейф) дырок в валентной зоне со средней скоростью создает в полупроводнике дырочный ток, плотность которого
Следовательно, полная плотность тока в полупроводнике содержит электронную jn и дырочную jр составляющие и равна их сумме (n и p — концентрации соответственно электронов и дырок).
Закон Ома j =sЕ, сл-но удельная электропроводность полупроводника определяется соотношением
.
У полупроводника с собственной электропроводностью ni = pi, и его удельная электропроводность
В полупроводнике n-типа > , и его удельная электропроводность с достаточной степенью точности может быть определена выражением
.
В полупроводнике р-типа > , и удельная электропроводность такого полупроводника
|
|