2015-05-26
268
4.1 Построить графики статических входных (базовых) характеристик.
При построении ось тока базы установить на минимальное значение напряжения Б-Э, полученное при UК = 0,1 В и Iб = 5 мкА рис 2.
Определить h-параметры транзистора при нормальной (27ºС) и повышенной (60ºС) температурах.
- Для определения параметра h11 на средине линейного участка входной характеристики, соответствующей напряжению UКЭ = 5В, построить характеристический прямоугольный треугольник. Вершины треугольника расположить в точках Iб 60 и 100 мкА. h11=DUбЭ/DIб при UКЭ=Const.
- Определить параметр h12=DUбЭ/DUК. Для этого провести горизонтальную линию, соответствующую току Iб = 60 мкА. Точки пересечения этой линии с характеристиками для UКЭ = 5В и UКЭ = 0,1В спроецировать на ось напряжения. Получим два значения напряжения на базе. Вычтя из большего меньшее значение, получим DUбЭ. DUК = (5 В – 0,1 В).
- Определить сопротивление цепи базы постоянному току Rб = UбЭ/Iб. Данные взять из предыдущего вычисления.
- Вычислить температурный коэффициент напряжения цепи базы
ТКН = DUбЭ/DТ0С.
|
|
|
4.2 Построить графики статических выходных (коллекторных) характеристик.
- На линейном участке выходной характеристики, соответствующей току базы Iб = 60 мкА, построить характеристический треугольник и определить параметр h22=DIК/DUКЭ при Iб = Const. Вершины треугольника должны совпадать со значениями в таблице 2 Uк = 5 В и Uк = 15 В.
DUКЭ = 10 В. Вершины катета, параллельные ости тока, спроецировать на эту ось и определить DIК.
- При напряжении на коллекторе UКЭ = 5В провести вертикальную линию, которая пересечет характеристики. Выделить две точки с характеристиками Iб = 60 мкА и 40 мкА, спроецировать эти точки на ось тока коллектора, определить DIК. Вычислить параметр h21 = В = DIК/DIб
DIб = (60 мкА – 40 мкА) = 20 мкА.
Внимание. При вычислениях следует учитывать, что ток коллектора выражен в миллиамперах, а ток базы – в микроамперах. 1 мА = 1000 мкА (μА). Поэтому В >> 1.
- Определить сопротивление коллекторной цепи транзистора постоянному току RK0 = UК /IК в точке UК = 5 В и Iб = 60 мкА.
- Вычислить влияние изменения температуры на коэффициент усиления В = h21. Процедура аналогична определению коэффициента В, только приращение DIб взять между ‘горячими‘ характеристиками при напряжении Uк = 5 В. Вычислить температурный коэффициент параметра В
α = (DВ/В) / (DТ0С) 100% [%/0С],
где DВ – изменение коэффициента В под действием изменения температуры DТ.
мкА Iб Uк = 0,1 В 5 В
100 - 600С 270С
∆Iб Построить характеристи- ΔТ ческий прямоугольный
60 * треугольник на линейной _ части ВАХ так, чтобы
его вершины совпали с
данными таблицы.
+ + Uбэ
600 640 680 700 мB
∆Uбэ ∆Uбэ
|
|
|
Рис.2. Примерный вид входной ВАХ биполярного транзистора
мА Iк
10 Iб = 60 (Т= 600С)
∆Iк Iб = 60 (Т= 200С)
∆IК
Iб = 40
+ + Uк
5 10 15 20 В
∆Uк
Рис.3.Примерный вид семейства коллекторных характеристик
