Можно определить плотность тока через барьер

(5.1),

где A_R – постоянная Ричардсона, U – напряжение приложенное между затвором и истоком (положительное при прямом включении контакта Ме-п/п и отрицательном при обратном).

Для Si A_R =260 А/(см²×К²) при ориентации подложки на плоскости (111) и A_R =250 А/(см²×К²) при(100). Для GaAs A_R =8,7 А/(см²×К²).

По формуле (5.1) произвести расчет обратной ветви при комнатной Т.

5.3 Расчет напряжения насыщения.

ПТШ работает в режиме обогащения. Толщина канала W зависит от толщины обедненного слоя d на контакте Ме-п/п, W = a - d, где а – толщина эпитаксиального слоя.