2015-05-30
1401Активному режиму работы транзистора, иногда называемому также нормальным активным режимом, соответствуют открытое состояние эмиттерного перехода и закрытое состояние коллекторного перехода. Инверсный режим (инверсный активный режим) работы транзистора аналогичен активному режиму с той лишь разницей, что в этом режиме в открытом состоянии находится коллекторный переход, а в закрытом - эмиттерный переход. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся в открытом состоянии. В режиме отсечки оба перехода транзистора находятся в закрытом состоянии.
Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.
Пара Дарлингтона составленная из Пара Дарлингтона срезистором, который используется в качестве нагрузки транзистора VT1
|
|
|
транзисторов n-p-n типа
Каскад Шиклаи, эквивалентный n-p-n транзистору
Транзисторы, которые изготовляются по планарной технологии путем диффузии примеси, имеют иной механизм переноса зарядов в базе. Известно, что при диффузии концентрация примеси спадает по глубине. В базовом слое концентрация примеси у эмиттера больше, чем концентрация у коллектора. При комнатной температуре вся примесь ионизована. Следовательно, около эмиттера создается нескомпенсированный заряд ионов. Свободные носители заряда, образующиеся при ионизации примеси, диффундируют в сторону меньших концентраций и скапливаются у коллекторного перехода. В базе образуется встроенное поле. В транзисторе n - p - n заряд ионов положительный. При прямом смещении эмиттерного перехода происходит инжекция электронов в базу. Далее они не диффундируют по базе, а подхватываются полем базы, то есть дрейфуют в поле базы и уносятся в коллектор. Таким образом, поле базы является тянущим для неосновных носителей заряда.
