Лавинный пробой происходит из-за лавинного размножения неосновных носителей заряда в широких р-п переходах. Электрон, ускорившись в поле запирающего слоя, выбивает из атомов полупроводника валентные электроны, которые, в свою очередь, успевают ускориться и выбить новые электроны, и т. д. Процесс развивается лавинообразно и сопровождается быстрым нарастанием обратного тока — участки бв на. Туннельный пробой наблюдается в узких р-n переходах и состоит в отрыве под действием сильного электрического поля валентных электронов от атомов полупроводника. Образующиеся при этом носители заряда — электроны и дырки — способствуют увеличению обратного тока. Тепловой пробой возникает из-за перегрева р-п перехода или отдельного его участка. При этом происходит интенсивная генерация пар электрон — дырка и, следовательно, увеличивается обратный ток, что ведет к увеличению мощности, выделяющейся в р-п переходе, и дальнейшему его разогреву. Этот процесс, также лавинообразный, завершается расплавлением перегретого Участка р-п перехода и выходом прибора из строя. При тепловом пробое обратный ток стремительно нарастает, а напряжение на переходе уменьшается — участки в—г.