Биполярный транзистор имеет трехслойную структуру и соответственно три вывода. Среднюю область транзистора называют базой, а крайние — эмиттером и коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, потому что перенос тока в них осуществляется носителями заряда двух типов — электронами и дырками. Концентрация примеси, а следовательно, и основных носителей заряда самая высокая в эмиттере и малая — в базе; в коллекторной области она может быть такой же, как в эмиттере. Базу транзистора выполняют очень тонкой (несколько микрометров), а коллектор должен позволять отводить теплоту, выделяющуюся при работе прибора. В активном режиме транзисторы используют для усиления электрических сигналов с минимальными искажениями формы. В режиме насыщения прямое напряжение подают на оба перехода транзистора и его сопротивление уменьшается почти до нуля. В этом режиме транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле и используется для подключения нагрузки к источнику питания. В режиме отсечки на оба перехода транзистора подают обратные напряжения, т. е. транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением. В этом режиме он эквивалентен разомкнутому контакту реле. Чередуя режимы насыщения и отсечки, можно коммутировать различные электрические цепи без разрыва и, следовательно, без искрения контактов. Режимы насыщения и отсечки используют в импульсных схемах Большую часть времени транзисторы в этих схемах работают в режимах насыщения и отсечки, а при переходе из режима в режим — незначительное время в активном режиме.
|
|