Почему необходимо жестко стабилизировать температуру микроэлектронных процессов

Начиная от 900^оС, повышение температуры на 100^оС приводит к увеличению коэффициента диффузии примерно в пять раз. При высокой температуре процесса (порядка 1000^оС) атомы как исходной, так и вводимой примеси ионизированы и образуют электрическое поле, всегда ускоряющее процесс диффузии.

Точность поддержания температуры в зоне печи должна быть не ниже ± 0,5^оС, тогда изменение по глубине залегания примесей, например бора и фосфора в кремнии, будет в пределах 1%, что чрезвычайно важно при получении тонких (~0,1 мкм) слоев.