Указания к составлению отчета

Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.

Привести параметры, исследуемых диодов, взятые из справочника.

Привести таблицы с результатами измерений.

На графике №1 построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов, используя различный масштаб по осям напряжения и тока для прямого и обратного включений.

Рассчитать прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнить сопротивления диодов при прямом и обратном включениях.

На графике №2 построить вольтамперные характеристики кремниевого стабилитрона. Указать участок стабилизации.

Привести осциллограммы подводимого напряжения, напряжений на диоде и на нагрузке. Осциллограммы строятся одна под другой с соблюдением масштаба времени.

При I=10мА;

При U=10В;

Вывод: Изучили устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

Рассчитали прямое сопротивление диодов по постоянному току при токе 10 мА и обратное сопротивление при напряжении 10 В. Сравнили сопротивления диодов при прямом и обратном включениях

Построили графики ВАХ германиевого и кремниевого диодов, для прямого и обратного включения.

ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики»

Факультет заочного обучения

Лабораторная работа №3

Тема: «ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ

p-n ПЕРЕХОДОМ»

по физическим основам электроники
(наименование дисциплины)

выполнил студент 2 курса специальности МТС

Асташов Евгений Юрьевич
(фамилия, имя, отчество)

Студенческий билет № 7613002 группа ЗМ – 31

Проверил доцент Фадеева Наталья Евгеньевна