1. В схеме части 2 к выходу функционального генератора, не отключая его от схемы, подключите вход амплитудно-частотного анализатора, а его выход - к сопротивлению нагрузки.
2. Установите амплитуду переменного напряжения на функциональ-ном генераторе равную нескольким десяткам милливольт.
3. Последовательно установите величину постоянного напряжения на p-n переходе, соответствующую обратной ветви ВАХ, а затем точке В.
4. Запустите схему и по анализатору амплитудной характеристики вычислите время релаксации для выбранных значений .
5. Измените величину емкости p-n перехода и повторите измерения.
8. Часть 4: ИЗЛУЧАЮЩИЕ СВОЙСТВА p-n ПЕРЕХОДА
Цель данной части лабораторной работы состоит в приобретении опыта работы с редактором EWB по моделированию работы оптоэлектронных элементов, содержащих светодиоды (оптроны и т.д.), пронаблюдать работу светодиода в импульсном режиме при различных состояниях p-n перехода.
Теоретический материал по этой части работы подробно излагается в учебном пособии по данному курсу (см. Давыдов В.Н. Физические основы оптоэлектроники. Учебное пособие. Томск, ТМЦ ДО, 2004. – 135 с).