Заключение. Таким образом, в ходе проведения курсового исследования было установлено, что наиболее широко распространены следующие типы p-n-переходов: точечные

Таким образом, в ходе проведения курсового исследования было установлено, что наиболее широко распространены следующие типы p-n-переходов: точечные, сплавные, диффузионные и эпитаксиальные, рассмотрены особенности технологических процессов изготовления этих переходов. Опираясь на исходные данные, была рассчитана контактная разница потенциалов, которая составила 0,417 (В). В третьей главе курсового проекта был рассмотрен внешний фотоэффект и его использование в фотодиодах, а также лавинный фотодиод и его свойства

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Анималу А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М.: Мир, 1981;

2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. –М.: Мир, 1988;

3. Гранитов Г.И. Физика полупроводников и полупроводниковые приборы. –М.: Сов. радио, 1977;

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: Учебное издание. –М.: Высшая школа, 1991;

5. Давыдов А.С. Квантовая механика. –М.: Физматгиз, 1963;

6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. –М.: Наука, 1979. Т.3;

7. Фистуль В.И, Введение в физику полупроводников. –М.: Высшая школа, 1984;

8. Электроника. Энциклопедический словарь. –М.: Советская энциклопедия, 1991.

Приложение

Обозначения основных величин, принятые в работе

E_c- энергия соответствующая дну запрещённой зоны

E_F- фермиевская энергия

E_k- энергетическая ступень, образующаяся в p–n-переходе

E_max- максимальная напряжённость электрического поля

E_v- энергия соответствующая потолку валентной зоны

F_i- электрическая энергия

F_ip (F_in)- электростатическая энергия в p (n)-области

j- плотность тока

j_g0- плотность тока термогенерации носителей заряда

j_ngp0 (j_pgp0)- плотность дрейфового тока, текущего через p-n-переход из n-области (p-области) в p-область (n-область)

j_ngup0 (j_pgup0)- плотность диффузионного тока, текущего через p-n-переход из n-области (p-области) в p-область (n-область)

j_z0- плотность тока рекомбинации носителей заряда

l₀- ширина р-n перехода.

l_n0 (l_p0) - ширина n (p) -области p-n-перехода

L_s- дебаевская длина

N- результирующая концентрация примеси

n (p)- концентрация электронов (дырок) в полупроводнике

n₀ (p₀)- равновесная концентрация электронов (дырок) в полупроводнике

N_a (N_d)- концентрация акцепторной (донорной) примеси.

n_i- собственная концентрация носителей заряда

n_n (n_p) - концентрация электронов в n (р) области

n_no (n_po)- равновесная концентрация электронов в n (р) области

N_Э (N_Б) - абсолютная величина результирующей примеси в эмиттере (базе)

P(x)- распределение плотности объёмного заряда

p_p (p_n)- концентрация дырок в р (n) области

p_po (p_no)- равновесная концентрация дырок в р (n) области

p_Э (p_Б)- плотность объёмного заряда

q, e- заряд электрона

T- температура окружающей среды

V_k- энергия контактного поля

ε- напряженность электрического поля

ε- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника

ε₀- диэлектрическая постоянная воздуха

μ_n (μ_p)- подвижность электронов (дырок)

τ_ε- время диэлектрической релаксации

φ- электрический потенциал

φ_k- контактная разность потенциалов

φ_T- температурный потенциал