Барьерная емкость полупроводникового диода и

Электронная перестройка частоты

Колебательного контура

Цель работы

I. Расчет и построение зависимости емкости обратно смещенного p – n-перехода от напряжения.

II. Определение диапазона электронной перестройки частоты колебательного контура для заданных электрофизических параметрах перехода.