Подключить стенд с помощью кабеля к лабораторной сети питания ± 15 В и включить макет (рис.3.1).
Задание 1. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ (схема исследования приведена на рис3.2а).
Вставить исследуемый транзистор в разъем на передней панели базой к заземленному контакту.
1.1 Исследовать входную характеристику U бэ =¦(I б) при, U кб= +5 В
Подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U к». Переключатель «НАГРУЗКА R к» установить в положение «0», а переключатель «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (-).
Выставить с помощью регулируемого источника напряжения U к=5 В.
Переключить вольтметр В7-58/2 на гнезда «U эб» и, изменяя входной ток I э с помощью регулируемого источника тока, снимать показания амперметра РА1 и соответствующие им значения напряжения U эб и заносить их в табл.4.1.
Таблица 4.1.
Iэ, mA | ||||||
Uэб, В |
1.2 Исследовать семейство выходных характеристик транзистора.
I к = ¦(U кб), при I э= 6; 4; 2; 0 mA.
|
|
Для этого подключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U к», выставить ток I э=6 mA и, меняя напряжение регулируемого источника напряжения от U к=10 В в сторону уменьшения, записать значения коллекторного тока, для указанных в табл.2 значений напряжения U кб.
Повторить измерения для значений тока эмиттера I э= 4; 2; 0 mA.
Данные эксперимента занести в табл.4.2.
Таблица 4.2.
U кб, В | …… | 0, 5 | -0.5 | -0.6 | -0.7 | ||||
I э1=6 mA | I к, mA | ||||||||
I э2=4 mA | I к, mA | ||||||||
I э3=2 mA | I к, mA | ||||||||
I э4=0 mA | I к, mA |
Построить графики входной и семейства входных характеристик для схемы включения с ОБ.
При построении вольт–амперных характеристик принято ток откладывать по оси ординат, а напряжение – по оси абсцисс, как, например, на рис.1.10.
Задание 2. Исследовать статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (схема исследования приведена на рис. 3.2,б)
Переключить вилку с исследуемым транзистором эмиттером к заземленному контакту.
Переключить «ПОЛЯРНОСТЬ РЕГУЛИРУЕМОГО ИСТОЧНИКА ТОКА» - в положение (+) ток базы; установить напряжение на коллекторе U к=5 В, а затем переключить вольтметр В7-58/2 к гнездам «U эб».
2.1. Исследовать входную характеристику. U бэ =¦1(I б), U кэ= 5 В.
Изменяя ток базы с помощью регулируемого источника тока, регистрировать значение I б по миллиамперметру РА 1 и соответствующее ему напряжения U бэ. Полученные результаты занести в табл.4.3.
Таблица 4.3.
Iб, mA | ||||||
Uэб, В |
2.2. Исследовать семейство выходных характеристик.
|
|
I к=¦2 (U кэ), при Iб = 0,03; 0,06; 0,09 mA.
Методика исследования выходных характеристик описана в п. 1.2.
Результаты занести в табл. 4.4.
Таблица. 4.4.
U кэ, В | ..….. | |||||
I б1= 0 mA | I к, mA | |||||
I б2= 0,03 mA | I к, mA | |||||
I б3= 0,06 mA | I к, mA | |||||
I б4= 0,09 mA | I к, mA |
Построить графики входной и семейство выходных характеристик для схемы включения с ОЭ.
Задание 3. Исследовать нагрузочную характеристику транзистора с ОЭ (схема исследования приведена на рис. 3.3).
Установить напряжение регулируемого источника Е к=10 В (контроль напряжения на гнездах «U к» при R к=0).
Переключателем «НАГРУЗКА Rк» установить сопротивление R к=1кОм.
Управляя коллекторным током с помощью регулируемого источника входного тока I б, начиная с I б=0, записать значения тока I к и напряжения U кэ в табл.4.5.
Повторить снятие нагрузочной характеристики для R к=3кОм и Е к=10В.
Построить график выходная ВАХ I к=¦(U кэ) в нагруженном режиме (R к) и сопоставить с теоретически рассчитанным графиком линии нагрузки.
Таблица 4.5.
Е к =10В | U кэ, В | 9, 5 | … | |||
R к =1 кОм | I к, мА | |||||
R к =3 кОм | I к, мА |
Задание 4. Расчет h-параметров биполярного транзистора в заданной рабочей точке.
Координаты рабочей точки транзистора: I б.рт=0,06мА, U кэ.рт=5Вдля схемы с ОЭ и I э рт =4мА, U кб рт =5В для схемы с ОБ.
Найти ее на построенных входных и выходных ВАХ.
По методике описанной в разделе 1.7. настоящего описания определить значения h -параметров транзистора: h 11 h 21; h 22 для схем с ОБ и ОЭ.