Для определения h-параметров транзистора необходимы его входная и выходная вольт-амперные характеристики. На входной ВАХ задаёмся приращением базового тока относительно рабочей точки (рисунок 2.5):
(2.8)
Приращению базового тока соответствует приращение напряжения база-эмиттер, равное:
(2.9) 
| БФ ФГОБУ ВПО СибГУТИ 210700.35.ПЗ
|
Рисунок 2.5
| БФ ФГОБУ ВПО СибГУТИ 210700.35.ПЗ
|
Параметр h
11Э, определяющий входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:
(2.10)
На выходной ВАХ транзистора задаёмся приращением тока базы (рисунок 2.6):
(2.11)
Соответствующее приращение тока коллектора равно:
(2.12)
Тогда параметр h21Э, т.е. коэффициент передачи транзистора по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:
(2.13)
| БФ ФГОБУ ВПО СибГУТИ 210700.35.ПЗ
|
Для определения следующего h-параметра задаёмся приращением напряжения коллектор-эмиттер на выходной ВАХ транзистора (рисунок 2.7):
(2.14)
Соответствующее приращение тока коллектора составляет:
(2.15)
Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи) – параметр h22Э равен:
(2.16)
Последний h-параметр – коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока определяется по формуле пересчета:
(2.17)
| БФ ФГОБУ ВПО СибГУТИ 210700.35.ПЗ
|
где 
– значение тока эмиттера.
Так как ток эмиттера равен:
(2.18)
то параметр 
имеет значение:
(2.19)
2015-08-21
758
