Коефіцієнт відбиття

Експериментально встановлено, що 70% електронів пучка передають свою енергію в області взаємодії і поглинаються мішенню, а решта 30% покидають межі зразка. Такі електрони отримали назву відбитих.

Коефіцієнт відбиття електронів h визначається як відношення кількості відбитих (n_в) до загальної кількості електронів, які потрапили на мішень (n_з), або як відношення відповідних струмів, тобто

, (1.11)

де і_в, і_з, і_п – струм, який визначається кількістю відбитих, загальних та тих, що пройшли через зразок, електронів відповідно.

Дослідження окремих траєкторій методом Монте-Карло показало, що процес відбиття відбувається за рахунок декількох послідовних актів пружного розсіювання, у яких зміна напрямку руху така, що електрон покидає зразок. Можливі випадки, у яких електрон відразу після першого акту розсіювання відбивається. Як показали дослідження плівок Fe товщиною 10 нм, при бомбардуванні її пучком з енергією 20 кеВ, лише 1 електрон із 340 покидає зразок відразу після першого акту розсіювання.

Таким чином, більшість електронів, перед тим як покинути поверхню зразка, проникають на глибину порядку 0,3 R_КО у тверде тіло.

Відбиті електрони створюють сигнал, який використовують для отримання зображення у РЕМ. Для правильної інтерпретації зображення потрібно знати властивості цих електронів і як на них впливають параметри електронного пучка та мішені.