Організація пам'яті мікропроцесорної системи

Деякі елементи, що входять до складу систем пам 'яті

Операційні зетам 'ятовуючі пристрої (ОЗП) ОЗП типу К565РУ2

Мікросхема типу К565РУ2 -- це динамічний ОЗП (DRAM) на основі МДН-логіки. Об'єм пам'яті на один корпус складає 1 кбіт (1024 адрес по 1 розряду). Функції виводів цього ОЗП позначено на рис. 6.1.

- D - інформаційний вхід;

- Q - інформаційний вихід. У всіх режимах, окрім зчитування, вихід знаходиться в третьому стані, на що й указує позначка у вигляді перекресленого ромба;

- АО - А9 - десять розрядів адреси;

- CS - вибір кристала (активізується низьким рівнем напруги). При CS =1 здійснюється режим зберігання (тобто ні зчитування, ні запису; виходи Q - у третьому стані).

- W /R визначає напрямок руху інформації (чи то запис до ОЗП, чи то читання з нього).

У серії К565 є ще такі ІМС:

РУ7 РУ1 4k x 1 (тобто 12 розрядів ША при 1 розряді ПІД) РУЗ 16k х 1 (ША 7x2, тобто двічі по 7 розрядів) РУ5 64k х 1 (ША 8x2) 256k х 1 (ША 9x2).

ОЗПтипуКР541РУ2

Це статичний ОЗП на ТТЛ-логіці. Об'єм пам'яті в нього складає 4 кбіт (Ik х 4, тобто 1024 адрес по 4 розряди даних). Означення його виводів подано на рис. 6.2:

АО - А9 - входи адреси;

QO - Q3 - входи/виходи даних; у режимі зберігання ці виводи знаходяться в третьому стані;

CS - вибір кристала;

W /R - вибір напрямку руху інформації.

Режими роботи такі самі, як і в ІМС серії К565 (див. табл. 6.1). У серіїКР541 є такі ІМС: РУ1 (4k х 1); РУ2 (Ik х 4); РУЗ (16k х 1).

Постійні запам 'ятовуючі пристрої (ПЗП) ППЗП типу КР556РЕ5

Це постійний запам'ятовуючий пристрій, який може бути одноразово запрограмованим. Він має 512 розрядів адреси та 8 розрядів даних (рис. 6.3). Цей ППЗП є ТТЛ-ІМС із загальними колекторами (на що й указує ромбик із рискою). Виходи QO - Q7 підключаються через резистори по 5,6 кОм до лінії живлення +5В. Вивід CS означає, як і раніше, вивід для активізації даної мікросхеми.