Транзистор – полупроводниковый прибор для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний, выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной – электронной (n) и дырочной (p) – проводимостью.
Модели биполярных транзисторов p-n-p- и n-p-n- типов хранятся в библиотеках BIPOLAR и EBIPOLAR и имеют вид, представленный на рисунке 23. Например, в библиотеках EBIPOLAR хранятся символы моделей транзисторов n-p-n- типа BC107F, BC107B, BC108A, BC108B, которые применяются в малосигнальных усилителях, а модели транзисторов BC109B и BC109C применяются в малошумящих усилителях. Малосигнальные модели мощных биполярных транзисторов хранятся в библиотеке PWRBJT.
а б
Рисунок 23 – Модели транзисторов: а – p-n-p- типа; б – n-p-n- типа
Модели биполярных транзисторов имеют следующие основные параметры:
• IB (Max base current) – максимальный ток базы;
• IC (Max collector current) – максимальный ток коллектора;
• VCB (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-базы;
|
|
• VCE (Max C-E voltage) – максимальное напряжение коллектор-эмиттера;
• VEB (Max E-B voltage) – максимальное напряжение эмиттер-базы;
• PDM (Max par dissipation) – максимальная мощность, рассеиваемая коллектором транзистора;
• TJ (Max junction temp) – максимальная температура поверхности прибора).
В таблице 3 приведены основные параметры некоторых биполярных транзисторов.
Таблица 3
Основные параметры биполярных транзисторов
Тип | Транзистор | |||||
BC107A | BC108A | BC177 | BC179B | 2N3055 | 2N4918 | |
n-p-n | n-p-n | p-n-p | p-n-p | n-p-n | p-n-p | |
IB | неопр. | неопр. | неопр. | неопр. | 7 А | 7 А |
IC | 0,2 A | 0,2 A | 0,2 A | 0,2 A | 15 A | 3 A |
VCB | 50 V | 30 V | 50 V | 25 V | 100 V | 40 V |
VCE | 45 V | 25 V | 45 V | 20 V | 60 V | 40 V |
VEB | 6 V | 5 V | 5 V | 5 V | 7 V | 5 V |
PDW | 1 W | 1 W | 1 W | 1 W | 115 W | 30 W |
Литература
3.1. Основная литература
1. Павлов В. Н. Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: [Учебник для вузов. Рекомендовано МО РФ]. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 320 с.
2. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: ИД "Додэка-XXI", 2007. 527 с.
3. Каплан Д., Уайт К. Практические основы аналоговых и цифровых схем / Пер. с англ. М.: Техносфера, 2006. 174 с.
4. Наундорф У. Аналоговая электроника. Основы, расчет, моделирование / Пер. с нем. М.: Техносфера, 2008. 472 с. + CD-ROM.
5. Хоровиц П. Искусство схемотехники / Пер. с англ. М.: Мир, 2003. 704 с.
6. Миловзоров О. В. Электроника / [Учебник для вузов. Допущено МО РФ]. М.: Высш. шк., 2006. 287 с.
3.2. Дополнительная литература
1. Муромцев Ю. Л. Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств: Учебное пособие для вузов / Ю. Л. Муромцев, Д. Ю. Муромцев, И. В. Тюрин, Н. А. Кольтюков, О. А. Белоусов. М.: Академия, 2010.
|
|
2. Немудров В., Мартин Г. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. М.: Техносфера, 2008. 212 с.
3. Опадчий Ю. Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс): Учебник для вузов по специальности "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" / Ю. Ф. Опадчий, О. П. Глудкин, А. И. Гуров; под ред. О. П. Глудкина. М.: Горячая линия-Телеком, 2005. 768 с.
Приложение 1