Задача 1. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), определить коэффициент усиления по току β (параметр h21) для точки А, характеризующейся напряжением коллектор-эмиттер UКЭ=25 В и током базы Iб=500 мкА. Пересчитать коэффициент усиления по току этого транзистора при его включении по схеме с общей базой.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 1).
2. Опускаем перпендикуляр из точки А на горизонтальную ось до пересечения с ближней кривой и обозначаем точку пересечения В.
3. Из построения видно, что отрезок АВ представляет собой разность двух значений токов коллектора ∆ IК и тока базы ∆ IК
определяем их значение:
∆ IК=АВ=38-32=6 мА=6000 мкА;
∆ Iб=АВ=500-400-100 мкА
коэффициент усиления по току при UКЭ=25 В
4. Определяем коэффициент усиления этого транзистора по току при его включении по схеме с общей базой. Так как ; то
Рис. 1
Задача 2. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 1), для точки М, характеризующейся UКЭ=15 В и током Iб =300 мкА. Определить выходную проводимость h22.
|
|
Решение. 1. Находим заднюю точку М на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 9).
2. Строим треугольник абс таким образом, чтобы точка М была на середине гипотенузы этого треугольника. Из треугольника абс находим аб= ∆UКЭ=20-10=10 В; бс=∆IК=24-21=3 мА
Используя формулу при
Находим (Сименс) См.
Задача 3. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 2) определить графическим путем входное сопротивление транзистора h11 для точки А, характеризующейся напряжением UКЭ=0 и током базы Iб=0,12 мА.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 2).
2. Строим прямоугольный треугольник абс каким образом, чтобы точка А оказалась на середине гипотенузы этого треугольника, а прямой угол оказался на соседней входной характеристике.
3. Из построения видно, что отрезок , а отрезок
Рис. 2 Рис. 3
Входное сопротивление при UЭК=const
Задача 4. По выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (рис. 3) определить графическим путем коэффициент обратной связи h12 для точки А, характеризующейся напряжением UКЭ =0 и током базы Iб =4мА.
Решение. 1. Находим заднюю точку А на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 3).
2. Через точку А проводим линию, параллельную оси абсцисс, до пересечения с соседней характеристикой.
3. Из построения можно определить:
∆UКЭ=5-0=5 В; ∆ Uбэ=0,85-0,76=0,09 В
|
|
при Iб=const
ВОПРОСЫ К ЗАДАНИЮ №1
Вопрос №1
Вариант | Вопрос |
Электроны в твердых телах. | |
Собственная электронная и дырочная электропроводность. | |
Примесная электропроводность. | |
Электронно-дырочный переход. | |
Переход металл-полупроводник. | |
Приборы с гетерогенными переходами. | |
Вольамперная характеристика полупроводникового диода. | |
Емкость и температурные свойства полупроводниковых диодов. | |
Применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока. Схемы выпрямления. | |
Физические процессы в биполярном транзисторе. |
Вопрос №2
Вариант | Вопрос |
Основные типы полупроводниковых диодов. | |
Полупроводниковые стабилитроны. Характеристики. Схемы включения. | |
Варикапы. Характеристики схемы включения. | |
Туннельные диоды. Характеристики. Область применения. | |
Фото и светодиоды. Характеристики. Область применения. | |
Характеристики и параметры биполярных транзисторов. | |
Полевые транзисторы. Характеристики. Параметры. | |
Тиристоры. Характеристики. Параметры. Область применения. | |
Оптоэлектронные приборы. | |
Полупроводниковые резисторы. |