Пример 1.
В качестве примера применения вложенного цикла построим семейство вольт-амперных характеристик полевого транзистора. Схема для моделирования характеристик полевого транзистора показана на рис 8.а. При моделировании будем в основном цикле анализа по постоянному току изменять напряжение источника VD и смотреть изменение тока стока. Во вложенном цикле будем изменять значения напряжения источника VG. Параметры основного и вложенного циклов анализа по постоянному току показаны на рис.9.
а)
б)
Рис.8. Моделирование семейства вольт-амперных характеристик при помощи вложенного цикла анализа по постоянному току.
Рис.9. Задание на моделирование основного и вложенного циклов для семейства I c = f (U си) при нескольких значениях U з
Во вложенном цикле напряжение источника VG изменяется от 0 до 2 В с шагом 0,5В, т.е. пробегает 5 значений. На графике семейства характеристик соответственно получается 5 кривых (первая кривая сливается с осью Х).
Пример 2.
Для схемы на рис.8а построить семейство характеристик I c = f (U си) при нескольких значениях температуры. Задание на моделирование показано на рис. 10. Результат моделирования показан на рис.11.
|
|
Рис. 10. Задание на моделирование основного и вложенного циклов для семейства I c = f (U си) при нескольких значениях температуры
Рис. 11. Семейство I c = f (U си) при нескольких значениях температуры для схемы на рис.8а, результат моделирования
1.2.2. ВРЕМЕННОЙ АНАЛИЗ TRANSIENT
Этот анализ строит зависимости напряжений и токов схемы от времени. Результаты, полученные при проведении временного анализа, аналогичны показаниям осциллографа. При анализе временных функций возможен Фурье-анализ временного отклика.