Принцип действия одинаков, но в первом основную роль играют дырки, а во втором электроны.
Принцип действия:
Пусть
При обрыв эмиттерной ветви коллектора, p-n переход включён в обратном направлении, и его ВАХ повторяет обратную ветвь ВАХ диода.
Построим диаграмму на основе коллекторного перехода.
То есть шунтированный или тепловой ток коллектора.
Значит:
Пусть
Эмиттерный переход включён в прямом направлении. Обычно концентрация основных носителей в области эмиттера превышает концентрацию основных носителей в области базы.
- втягиваются в коллектор.
- рекомбинируют.
Где α- коэффициент передачи тока, в схеме с общей базой.
-α-тем больше чем:
- уже ширина базы.
- выше концентрация основных носителей в эмиттерной области по сравнению с базой.
- больше площадь коллекторного перехода по сравнению с эмиттерным.
Рассмотрим схему, в которой транзистор включен с общей базой (база общий электрод для входной и выходной цепи).
Схема с общим коллектором - это эмиттерный повторитель, иногда его называют «трансформатором сопротивления». Входное сопротивление такой схемы примерно в раз увеличивается по сравнению с сопротивлением нагрузки, а выходное примерно в раз уменьшается по сравнению с входным сопротивлением предыдущей части схемы.