Введение
Современная радиоэлектронная аппаратура (РЭА) содержит огромное количество электрорадиокомпонентов, т.е. самостоятельных (комплектующих) изделий, выполняющих определенные функции. В качестве компонентов могут выступать резисторы, транзисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и т.д., а также интегральные микросхемы (ИМС), которые в свою очередь состоят из большого числа элементов, реализующих функции транзистора, резистора и т.д.
Электрорадиоэлементы делятся на активные и пассивные. К активным относятся транзисторы, электронные лампы, микросхемы и т.д., т. е. элементы, способные усиливать или преобразовывать электрические сигналы. К пассивным относятся резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, трансформаторы, коммутационные элементы, т. е. такие элементы, которые предназначены для перераспределения электрической энергии.
Пассивные элементы могут выступать как дискретные компоненты и как элементы ИМС. Несмотря на то, что ИМС имеют большой удельный вес в РЭА, пассивные компоненты являются самыми распространенными изделиями электронной промышленности. Объясняется это в первую очередь тем, что ряд элементов трудно выполнить в микросхемном исполнении. Практически невозможно в ИМС изготовить резисторы с большим сопротивлением, конденсаторы большой емкости, практически нет интегральных катушек индуктивности и трансформаторов. Да и технические характеристики дискретных элементов лучше, чем интегральных.
|
|
В современной РЭА доля дискретных резисторов составляет от 15 до 50% всех элементов принципиальной схемы.
Для изготовления дискретных резисторов используют резистивные материалы, которые, кроме достаточно большого удельного сопротивления, должны обладать высокой стабильностью и коррозионной стойкостью, малым температурным коэффициентом удельного сопротивления и малой термо-ЭДС относительно меди. Наиболее важно выполнять эти требования по отношению к материалам, предназначенным для изготовления образцовых резисторов к электроизмерительным приборам. Для изготовления переменных резисторов, особенно низкоомных, необходимо, чтобы резистивный материал имел малое и стабильное во времени контактное сопротивление в паре с применяемым материалом скользящего контакта.
В зависимости от номинального сопротивления резистора, его назначения и условия эксплуатации в качестве резистивного материала применяют металлы и сплавы с высоким удельным сопротивлением, оксиды металлов, углерод, керметы, композиционные материалы.
Резистивный материал в зависимости от типа резистора может применяться в виде объемного элемента, проволоки различного диаметра или пленки, осажденной на поверхности диэлектрического основания.
|
|
Микропровода в стеклянной изоляции изготавливают диаметром проводящей жилы от 1 мкм и более. Погонное сопротивление и температурный коэффициент сопротивления микропровода зависят от физико-химических свойств пары сплав-стекло, от технологических условий получения микропровода и времени литья. Удельное сопротивление тонких (толщина которых соизмерима с длинной свободного пробега электрона)проводящих и резистивных пленок больше удельного сопротивления соответствующего материала в толстых слоях рисунок 2 и зависит от толщины пленки и способа ее получения. Для сравнения оценки проводящих свойств тонких пленок вводится параметр-сопротивление квадрата (или сопротивление на квадрат, или удельное поверхностное сопротивление), численно равный сопротивлению участка пленки, длина которого равна его ширине (при протекании тока параллельно поверхности подложки).
Сопротивление квадрата:
где δ-толщина пленки, ρδ – удельное (объемное) сопротивление пленки толщиной δ. Температурный коэффициент удельного сопротивления тонких металлических пленок αρδ может быть как положительным, так и отрицательным рисунке 3. При увеличении толщины пленки αρδ стремится к значению температурного коэффициента удельного сопротивления данного материала в массивных образцах αρ. С уменьшением толщины пленки ухудшается воспроизводимость и стабильность ее параметров, снижается надежность. Это является препятствием к использованию очень тонких (толщиной не менее 80…50 (нм)) резистивных материалов.
Рисунок 2-Зависимость удельного сопротивления ρδ тонкой металлической пленки от толщины δ.
Рисунок 3-График зависимости температурного коэффициента удельного сопротивления тонкой металлической пленки от толщины.
Цель работы:
1. Изучить теоретические основы об основных резистивных материалах, их свойств и параметрах.
2. Экспериментально исследовать свойства предложенного набора резистивных материалов, а именно определить их сопротивления, по которым вычислить удельное сопротивление.
3. Сравнить полученные результаты с табличными данными и по ним определить предложенный резистивный материал и марку резистора.
Описание программы.
Программа разработана на основе лабораторного стенда, схема которого изображена на рисунке 1 и представляющий собой электрическую схему для снятия напряжения и тока с помощью вольтметра и миллиамперметра соответственно.
Рисунок 1-Приципиальная схема стенда.
В программе использованы характеристики пяти резисторов удельные сопротивления, которых нужно найти. В разделе «Выбор резистора» выбирается исследуемый резистор: R1, R2, R3, R4, R5 соответственно, марки, номиналы и технические данные которых приведены в таблице 1, 2 и 3.
В программе имеется шкала выбора напряжения, она находится в разделе «Напряжение, В». Так же можно изменить пределы шкалы виртуального миллиамперметра в разделе «Выбор предела измерения».
С помощью кнопки «Измерить» производиться измерение тока на исследуемом резисторе при заданном напряжении. При последующем измерении необходимо нажать кнопку «Установка нуля».
Таблица 1. Марки резисторов
Исследуемый резистор | Марка резистора | Конструкция резистора | |
R1 | ОМЛТ | Постоянный, непроволочный поверхностного типа, цилиндрической формы | |
R2 | МТ | Постоянный, непроволочный поверхностного типа, цилиндрической формы | |
R3 | С1-4 | Постоянный, непроволочный поверхностного типа, цилиндрической формы | |
R4 | ВС | Постоянный, непроволочный поверхностного типа, цилиндрической формы | |
R5 | ПЭВ | Постоянный проволочный |
|
|
Таблица 2. Технические данные резисторов.
№ | Геометрические параметры резистора и резистивной пленки | |||||||||
без спиральной нарезки | со спиральной нарезкой | проволочный | ||||||||
длина стержня l, мм | диаметр стержня d, мм | толщина токопроводящего слоя h, мм | число витков нарезки N | диаметр стержня d, мм | шаг нарезки t, мм | ширина нарезки a, мм | толщина токопроводящего слоя h, мм | длина намотанной проволоки l, мм | диаметр прово локи, мм | |
R1 | 12 | 5,2 | 10-4 | - | - | - | - | - | - | - |
R2 | - | - | - | 6 | 2,5 | 1 | 0,1 | 15,7∙10-6 | - | - |
R3 | 10 | 2,5 | 1,82∙10-6 | - | - | - | - | - | - | - |
R4 | - | 8 | - | 6 | 2 | 0,8 | 0,1 | 0,47∙10-3 | - | - |
R5 | - | - | - | - | - | - | - | - | 3425,5 | 0,04 |
Таблица 3. Номиналы резисторов.
Номер резистора | Марка резистора | Номинал резистора |
R1 | ОМЛТ | 270, Ом |
R2 | МТ | 1.5, кОм |
R3 | С1-4 | 5.6,кОм |
R4 | ВС | 0.125 Вт; 1.6 кОм |
R5 | ПЭВ Х-74 | 3, кОм |
Проводниковые материалы.
1.1. Виды проводников.
Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидкости, а при соответствующих условиях и газы.
1) Твердыми проводниками являются металлы, металлические сплавы и некоторые модификации углерода. Ток в таких проводниках протекает благодаря движению свободных электронов, вследствие чего их называют проводниками с электронной электропроводностью или проводниками первого рода.
2) К жидким проводникам относятся расплавленные металлы и электролиты. В расплавленных металлах протекание тока тоже обусловлено движением свободных электронов, поэтому их так же называют проводниками с электронной электропроводностью или проводники первого рода. Электролиты (растворы кислот, щелочей и солей и расплавы ионных соединений) относятся к проводникам второго рода. В таких проводниках перенос электрических зарядов сопровождается переносом вещества и на электродах выделяются продукты электролиза.
3) Все газы при низких напряженностях электрического поля не являются проводниками. Если же напряженность поля превышает критическое значение, газ может стать, проводником, обладающим электронной и ионной электропроводностями.
|
|