Электронно-дырочный переход

Силовые диоды

В основе принципа действия большинства полупроводниковых приборов лежат явления и процессы, возникающие на границе между двумя областями полупроводника с различными типами электри­ческой проводимости – электронной (n -типа) и дырочной (р -типа). В области n -типа преобладают электроны, которые являются основ­ными носителями электрических зарядов, в р -области таковыми являются положительные заряды (дырки). Граница между двумя областями с различными типами проводимости называется р-п -пе­реходом.

Функционально диод (рис. 6.4.) можно считать неуправляемым электронным ключом с односторонней проводимостью. Диод находится в проводящем состоянии (замкнутый ключ), если к нему приложено прямое напряжение.

Рис. 6.4. Условно-графическое обозначение диода

Ток через диод i_F определяется параметрами внешней цепи, а падение напряжения на полупроводниковой структуре имеет небольшое значение. Если к диоду приложено обратное напряжение, то он находится в непроводящем состоянии (разомкнутый ключ) и через него протекает небольшой ток. Падение напряжения на диоде в этом случае определяется параметрами внешней цепи.