2014-02-09
1903
 |
5.1 Для ускорения процессов переключения транзисторного ключа используют резистивно-ёмкостную управляющую цепь в базе транзистора ёмкость С -ускоряющая емкость) или ненасыщенные ключи с нелинейной отрицательной обратной связью, как показано на рисунке (ключи на транзисторах Шоттки).
.
5.2 Эффект ускорения процессов переключения ключа в этой схеме обусловлен тем, что часть коллекторного тока ответвляется в диод Шоттки после переключения транзистора из режима отсечки в режим насыщения, т.е. диод Шоттки шунтирует р-n переход коллектор-база, поэтому транзистор работает не в режиме насыщения, а в активном режиме.
Другими словами, транзистор работает с меньшим током базы, следовательно, с меньшим избыточным зарядом неосновных носителей в базе.
5.3 Благодаря этой нелинейной ООС, возврат транзистора из состояния “включено “(режим насыщения) в состояние “выключено” переходит в несколько раз быстрее. На ключах с транзисторами Шоттки можно получить очень малые задержки выключения (наносекунд), более высокие значения b, более низкие значения неуправляемых токов и хорошую стабильность характеристик.
