Полупроводниковые резисторы

Полупроводниковые резисторы, диоды, транзисторы

ЛЕКЦИЯ 11

Свойства эмиссии (переход зарядов из одной области в другую).

Полупроводниковые резисторы − п/п приборы с двумя выводами, у которых R зависит от U, t ° C, освещённости, деформации и др.

1. Линейный резистор − R = сonst, применяется в ИМС (слабо легированный кремний или арсенид галлия).

2. Варистор, R (U) изготавливается из карбида кремния, смешанного с глиной.

ВАХ варистора

Коэффициент нелинейности λ = R/Rg = (U/I)/(dU/dI)» const для различных типов. Применяют для защиты электрических цепей от перенапряжений.

3. Терморезистор

Характеристики термистора

1 − термистор, его R уменьшается с ростом t º

2 − позистор, его R увеличивается с ростом t º

Основной параметр − температурный коэффициент сопротивления: α = dRt *100/(dT·R) это процентное изменение R при изменении Т на 1градус.

Для термистора α = − 0,3 ÷ 0,66.

Терморезисторы применяют в системах регулирования температуры, тепловой защиты, противопожарной сигнализации.

4. Фоторезистор

Сопротивление R зависит от освещенности. На подложку из керамики или стекла наносится пленка фотоактивного материала.

Используется внутренний фотоэффект. При освещенности происходит возбуждение электронов, переход их на более высокий энергетический уровень, изменяется концентрация свободных электронов.

Схема включения фоторезистора

а) б)

Характеристики фоторезистора

При Ф = 0 I ф₀ − темновой ток. При наличии освещения I ф возрастает. Разность токов называется световым током или фототоком.

S = I ф/Ф − чувствительность; темновое сопротивление R_T = 10² − 10⁹ Ом. U _раб = 100 В.

5. Тензорезистор, R зависит от деформации рабочего тела. Основная характеристика – деформационная характеристика – зависимость ∆ R / R = f (∆ l / l), где l − длина рабочего тела.

Характеристики тензорезистора

Основные параметры R _ном = 100 − 500 Ом; К = ∆ R / R: ∆ l / l (−150 ÷ + 150) − коэффициент тензочувствительности. Применяют для измерения деформации твердых тел.