Для собственного полупроводника концентрация свободных носителей заряда в зависимости от температуры определяется выражением
n=A. EXP(-Wo/2kT),
где
· n - концентрация носителей заряда;
· Wo - ширина запрещенной зоны;
· k постоянная Больцмана;
· A константа, зависящая от температуры;
Для примесных полупроводников
n1=B. EXP( Wп/2kT),
где
· Wп - энергия ионизации примеси;
· В - константа, не зависящая от температуры.