1. По диапазону частот:
- Низкочастотный;
- Высокочастотный;
Частота определяется площадью p-n-перехода (малая площадь – большая частота).
2. По типу материала:
- Германий: DWз=0.72 эВ
- Кремний: DWз=1.32 эВ
- Арсенид галлия
3. По назначению:
- Для низкочастотных – выпрямительно-стабилизирующий
- Для высокочастотных – детекторные, смесительные, модуляторные
4. По конструкции:
- Точечные
- Плоскостные
Специальные диоды:
- Туннельные
- Фотодиоды
- Светодиоды
- Магнитодиоды
- Стабилитроны
Устройство и изготовление.
1. стеклянный баллон
2. электроды
3. кристалл полупроводникового материала
4. электрод
Для получения p-n-перехода при изготовлении пропускают кратковременный импульс тока. В зоне контакта с проволокой образуется p-n-переход малой площади (1/10 мм2)
1. выводы
2. корпус
3. стеклянный изолятор
4. кристаллодержатель
5. кристалл Ge
6. таблетка In
Изготовление происходит сплавным внедрением кристалла. Характеризуется большой площадью p-n-перехода, поэтому менее высокочастотен чем точечный (из-за эффекта рассасывания заряда), но имеет большие значения тока.