2015-01-13
1103
Характерное отличие полевых транзисторов с изолированным затвором состоит в том, что у них между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO2. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник).
В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Если к затвору приложить отрицательное напряжение, то дырки будут притягиваться к диэлектрику SiO2 и на поверхности полупроводника образуется слой с высокой их концентрацией. Такой режим называется режимом обогащения канала. При подаче на затвор положительного напряжения дырки выталкиваются от поверхности полупроводника и образуется слой с уменьшенной концентраций дырок. Такой режим называется режимом обеднения. Электроны из полупроводника p-типа будут притягиваться к диэлектрику, и у поверхности полупроводника р-типа образуется слой с электропроводностью n-типа. Таким образом, между истоком и стоком образуется область n+-n-n+ типа. Такой режим называется инверсией электропроводности. Изменяя напряжения на затворе, можно изменять сопротивление канала.
Основными характеристиками полевого транзистора являются: выходные (стоковые) – Iс = f(Uси) при Uзи = const и характеристики передачи (cток-затворные) – Iс = f(Uзи) при Uси = cоnst.
