Эквивалентные линейные модели БТ, используемые при расчетах усилителей

1. Электрическая модель БТ с h-параметрами.

h_12э = (U_бэ/U_кэ)|_Diб=0 [-] – коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, определяет влияние выхода на вход

h_21э = (i_k/i_б)|_Duкэ=0 [-] – коэффициент передачи тока или коэффициент усиления по току

h_22э = (i_k/U_кэ)|_Diбо=0 [см] – выходная проводимость по току.

h – параметры либо находятся по ВАХ БТ, либо с помощью измерительных приборов. Обычно h – параметры измеряются на частоте f = 1КГц в режиме к. з. На выходе и х. х. на входе.

2. Физическая Т-образная модель транзистора.

В этой модели используются физические свойства БТ:

r_б – оммическое сопротивление внутренних областей базы 50¸200 Ом

r_э – дифференциальное сопротивление эммитерного перехода

r_э = j_т/I_эо; j_т @ 25 мВ при 300⁰ К

r_к* = r_к/(b+1), где r_к – сопротивление закрытого коллекторного перехода 0,1¸10МОм

b - коэффициент передачи тока базы