системы.
В качестве легирующих примесей используют элементы III и V групп периодической системы. Это бор (В), фосфор (Р), мышьяк (As) и сурьма (Sb).
С помощью диффузии в полупроводник можно вводить примесь до концентраций, не превышающих предельную растворимость этой примеси при данной температуре. При t ≈ 1200° предельная растворимость бора составляет 5 • 1020 атомов/см3; фосфора - 1,3 • 1021 атомов/см3; сурьмы - 6 • 1019 атомов/см3, мышьяка - 2 • 1021 атомов/см3.
При изготовлении ИМС встречаются два случая диффузии:
1. Диффузия из бесконечного источника примеси -
когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника восполняется таким же количеством атомов примеси, поступающим извне. При этом поверхностная концентрация примеси остается постоянной.
2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника не восполняется. При этом поверхностная концентрация примеси со временем уменьшается.