ОЗУ динамического типа

В качестве запоминающего элемента в ячейке памяти динамического ОЗУ используется конденсатор небольшой емкости (рис. 7.6). При записи данных происходит отпирание транзистора VT 1,и через его малое сопротивление осуществляется заряд (если необходимо запомнить1) или разряд (если запоминается 0) конденсатора С от источника входного информационного сигнала DI. В режиме хранения транзистор VT 1 заперт, и конденсатор медленно разряжается через входное сопротивление VT 3и высокое выходное сопротивление транзистора VT 1. Если время хранения логической 1больше 2–4 мс, то конденсатор С необходимо периодически подзаряжать, подключая его к источнику напряжения питания (элементы схемы регенерации на рисунке не показаны). Обычно в качестве конденсатора С используется входная емкость транзистора VT 3, составляющая единицы пикофарад.

Информация считывается при подаче логической 1 на затвор VT 2. При этом транзистор VT 2 открывается, и на сток транзистора VT 3 подается напряжение питания. Если конденсатор С заряжен, то транзистор VT 3 открывается и на выходе DO действует напряжение логического нуля. VT 3 работает как транзисторный ключ, нагрузкой которого является транзистор VT 2, поэтому он инвертирует входной сигнал. Если конденсатор С разряжен, то VT 3оказывается запертым и на линии DO действует логическая 1.

В DRAM требуется периодическое восстановление (регенерация) записанного состояния. В большинстве случаев современные СБИС динамической памяти имеют встроенные средства регенерации. DRAM позволяют реализовать большой объем памяти на кристалле (до 64 Мбайт).