Размножение дислокаций

Дислокация, закрепленная между двумя неподвижными точками A и B, в отсутствии внешних сил спрямляется (рис.18).

Рисунок 18. Равновесная форма сегмента дислокации с закрепленными концами в точках A и B при однородном напряжении.

Касательное напряжение τ, приложенное в плоскости скольжения в направлении вектора сдвига , создает силу F = τ _n b, действующую в плоскости, направленную по нормали к оси дислокации и искривляющую ее, поскольку точки A и B закреплены.

Эта сила уравновешена в точках A и B натяжением дислокации T = a _д .

Критический радиус кривизны, при котором дислокация теряет устойчивость (изогнется в полуокружность) . В этой точке сила, искривляющая на участке длиной L (расстояние между точками A и B) ось дислокации, уравновешивается силой натяжения 2 T = FL. Отсюда следует, что радиус кривизны в момент потери устойчивости связан с силой натяжения и силой, искривляющей дислокацию до полуокружности:

.

Таким образом, потеря устойчивости сегмента дислокации наступает при условии работы источника Франка-Рида:

≥

Искривление дислокации после потери устойчивости спонтанное (рис. 19 а).

Уровень напряжения пластического течения (от монокристаллов чистых металлов до высокопрочных сплавов) ~10^-4–10^-2. Следовательно, при пластической деформации работают в основном источники с базой L / b ~10² – 10⁴

Источник Франка-Рида – главный путь рождения дислокаций в кристалле. Его производительность ограничена полями испущенных дислокаций (рис. 19 б) – или пределами зерна (рис. 19 в). Дислокации, испущенные одним источником одноименные – их взаимодействие отталкивание. Поэтому источник, испустив 10 … 20 дислокаций, может «развалиться» – сегмент АВ покинет плоскость генерации дислокаций под действие поля либо собственной серии дислокаций. либо дислокаций от других источников.

Рисунок 19. Движение дислокации после потери устойчивости сегмента АВ: а – все ветви расположены в одной плоскости (потеря устойчивости приводит к отрыву от точек закрепления); б – дислокация расположена в плоскости скольжения только на участке АВ (потеря устойчивости порождает петлю и новый сегмент) – источник Франка-Рида; в – ограничение площадки скольжения повышает напряжение размножения (критическое препятствие – проход AD < AB); г – однополюсный источник с выходом на свободную поверхность.

На замкнутой площадке τ _кр может определяться не базой АВ, а некоторым меньшим расстоянием от А или В до препятствия D (рис 19 в), поэтому, в частности длина базы L не может быть более 1/3 диаметра зерна d в плоскости скольжения.

В однополюсном источнике дислокация с одной закрепленной точкой А порождает не связанные друг с другом полупетли при условии выхода дислокаций на свободную поверхность кристалла (рис. 19 г) – его база больше, чем у двухполюсного источника (до d /2) и меньше τ _кр.