Совмещенные ИМС

Активные элементы изготовляют в объеме полупро­водникового кристалла, а пассивные элементы - методами тонкопленочной тех­нологии на его поверхности.

Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции компонентов и позволяют получить максимальную надежность, т.к. количество соединений в них сведено к минимуму.

Полупроводниковые ИМС в основном изготавливают из кремния, т.к. по сравнению с германием он имеет меньшие обратные токи и более высокую рабочую температуру.

Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, об­ладающую хорошими защитными свойствами.

В СВЧ технике – арсенид-галлиевые м/сх.

а) б)

Рис.9.3 Современные интегральные (цифровые) микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа (а) и навесного (б), https://ru.wikipedia.org/wiki/RFIC