Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК - П/П
Переход металл-диэлектрик-полупроводник ( МДП) представляет собой структуру, в которой между слоем металла и полупроводника располагается тонкий слой диэлектрика (обычно двуокиси кремния SiO2).
ИЗОТИПНЫЕ ПЕРЕХОДЫ (или контакт полупроводник- полупроводник)
Если слои одного типа проводимости, но с разной концентрацией примесей, то получается электронно-электронный (n+-n) и дырочно-дырочный (p+-p) переходы. (“+” обозначает повышенную концентрацию).
Электронно-электронный переход (n‑n+ переход, n‑n+‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход ( p‑p+ переход, p‑p+‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
|
|
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
ПО ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ различают:
Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang, Homogenous junction ) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, созданный в одном полупроводниковом материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия).
Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenous junction ) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-арсенид галлия.
ПО ВИДУ ВАХ (вольтамперной характеристики) различают:
Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
ПО ГРАДИЕНТУ состава на границе различают:
Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
|
|
ПО ТЕХНОЛОГИИ изготовления перехода различают:
Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) – электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) – э лектрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junctio n) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием.
Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.