ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА УДЕЛЬНУЮ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКА
Цели работы:
1. Построить зависимость изменения сопротивления кремниевого полупроводника с примесью фосфора от температуры, R = f(t).
2. Определить по ней зависимость изменения удельной электропроводности от температуры, lg() = f(1000/T).
3. По этой зависимости определить ширину запрещенной зоны кремния и энергию активации электронов фосфора .