Настройка режимов работы оперативной памяти

Расположение опций: пункт CHIPSET FEATURES SETUP (Advanced, Advanced Chipset Features).

Контроль четности – универсальная опция, которая может относиться к любому типу памяти. Модуль памяти с контролем четности (ЕСС) позволяет гарантировать целостность сохраняемых данных (отсутствие в них ошибок), а если ошибка все же произошла, работа компьютера будет прекращена. Эта возможность особенно актуальна для серверов и мощных рабочих станций. Опции:

- DRAM Data Integrity Mode (Data Integrity (PAR/ECC)) – опция позволяет указать, какая память используется: с контролем четности (значение ЕСС) или обычная, без контроля четности (значение Non-ECC). Memory Parity/ECC Check (Memory ЕСС Mode) – опция аналогична опции DRAM Data Integrity Mode. Значение Enabled указывает, что используется память с контролем четности, значение Disabled указывает, что используется обычная память.

- DRAM ECC/PARITY Select – опция позволяет указать вид проверки памяти: простая проверка (значение Parity или ЕС) или контроль четности (значение ЕСС). Когда включена простая проверка, то при возникновении ошибки работа компьютера прекращается. Контроль четности позволяет исправлять одиночные ошибки, но в случае множественной ошибки работа также прекращается. При включении контроля четности падение производительности составляет около 3%.

- SDRAM ECG Setting – объединяет опции DRAM Data Integrity Mode и DRAM ECC/PARITY Select. Значение Disabled указывает, что используется обычная память без контроля четности, значение Check Only –используется память с контролем четности и включена простая проверка, значение Correct Error – используется память с контролем четности и включен контроль четности.

Оперативная память типов FPM или EDO является устаревшим типом памяти, в современных компьютерах не используется. Оперативная память типа RDRAM (Rambus) не получила широкого распространения.

Оперативная память типа SDRAM. Память SDRAM в настоящее время наиболее распространена. Она осуществляет поддержку автоматического конфигурирования: параметры модуля записываются в специальную микросхему SPD и BIOS, ориентируясь на эту информацию, автоматически устанавливает необходимые задержки. Опции:

- SDRAM Configuration – опция устанавливает режим автоматического конфигурирования (значение Auto или By SPD). При отключении режима автоматического конфигурирования (значение Disabled) предоставляется возможность настроить характеристики памяти для максимального быстродействия. Аналогично: 1. Configure SDRAM Timing by – при значении SPD (Auto) значение берется из микросхемы SPD, при значении Manual возможна ручная установка всех параметров. 2. Bank 0/1 DRAM Timing – дополнительно опция позволяет указать параметры модуля памяти, вставленного в первый разъем; Bank 2/3 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного во второй разъем; Bank 4/5 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного в третий разъем; Bank 6/7 DRAM Timing – для модуля памяти, вставленного в четвертый разъем.

- DRAM Clock – опция присутствует только у асинхронных чипсетов и позволяет изменить частоту шины памяти относительно частоты шины процессора: при значении Host CLK – эти частоты равны; при значении CLK-33 – частота шины памяти на 33 МГц меньше частоты шины процессора; при значении CLK+33 – на 33 МГц больше частоты шины процессора.

Изменять значения большинства следующих опций можно только при отключенном автоматическом конфигурировании памяти:

- SDRAM CAS Latency (SDRAM CAS Latency Time, SDRAM Cycle Length, CAS# Latency) – устанавливает задержку в тактах между выдачей сигнала CAS и началом чтения данных для памяти типа SDRAM. Для большинства качественных модулей памяти стандарта РС100 и РС133 можно установить значение 2. Если стабильная работа не обеспечивается, рекомендуется снизить значение опции до 3. Если присутствует вариант Auto, то значение берется из микросхемы SPD.

- SDRAM RAS To CAS Delay – задержка между сигналами RAS и CAS при обращении к ячейке памяти. Обычно достаточно 2 тактов, но для проблемных модулей памяти рекомендуется увеличить значение до 3.

- SDRAM (CAS Lat/RAS to CAS) – комбинация опций SDRAM CAS Latency и SDRAM RAS To CAS Delay. первое значение указывает задержку в тактах между выдачей сигнала CAS и началом чтения данных, второе – задержку между сигналами RAS и CAS при обращении к ячейке памяти. Для качественной памяти рекомендуется значение 2/2, для проблемной – значение 3/3.

- SDRAM Cycle Time Tras/Тгс – задает комбинацию тактов между обращением к памяти и началом регенерации и полным временем цикла обращения к памяти. Типичное значение 6/8, в случае качественной памяти рекомендуется установить значение 5/7.

- SDRAM Active to Precharge Time – задает количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации. Типичное значение 6 тактов, в случае качественной памяти рекомендуется установить значение 5 тактов.

- SDRAM RAS Precharge Time – устанавливает количество тактов шины памяти до начала регенерации памяти (время предварительного заряда по RAS). Обычно достаточно 2 тактов, при нестабильной работе компьютера рекомендуется увеличить значение до 3 тактов.

- Refresh RAS# Assertion – задает количество тактов шины памяти, в течении которых будет активен сигнал RAS при регенерации памяти. Для качественной памяти достаточно 3 тактов, в случае нестабильной работы компьютера рекомендуется значение 4 такта.

- DRAM Idle Timer – показывает количество тактов, в течение которых будут закрыты все открытые страницы памяти при переходе процессора в режим ожидания. Чем меньше значение, тем более высокого быстродействия можно добиться, но при недостаточном количестве тактов возможно снижение стабильности работы. Рекомендуется значение 8 Cycle (тактов). Если надежность работы не пострадает, можно уменьшить значение, в случае возникновения проблем – увеличить количество тактов (до 32 Cycle).

- SDRAM MA Wait State – задержка в тактах перед началом чтения содержимого ячейки памяти. Для памяти SDRAM не требуется дополнительной задержки (значение 0 или Fast). Если система работает нестабильно, рекомендуется ввести задержку в один (значение 1 или Normal) или в два такта (значение 2 или Slow). Введение дополнительных задержек отрицательно сказывается на быстродействии компьютера.

- Fast R-W Turn Around – включение режима убирает такт задержки между двумя циклами обращения к памяти. По умолчанию режим включен (значение Enabled – задержка отсутствует); для проблемной памяти может потребоваться его выключение (значение Disabled - задержка в 1 такт).

- SDRAM Speculative Read – опция позволяет ускорить обращение к памяти за счет преждевременной выдачи сигнала чтения (значение Enabled). По умолчанию опция выключена (значение Disabled).

- SDRAM Banks Close Policy – указывает правила закрытия банков памяти. Для двухбанковых модулей памяти должно быть установлено значение Page Miss, для четырехбанковых – значение Arbitration. Не рекомендуется менять значение, установленное по умолчанию, так как выбор неверного значения способен привести к нестабильной работе компьютера.

- SDRAM Refresh Rate (Refresh Rate, Refresh Mode Select) – опция задает период между регенерацией соседних строк модуля памяти. Стандартное значение 15.6 us (15,6 микросекунд). Если применены качественные модули памяти, можно попробовать увеличить это значение до 31. 2 us или даже до 64 us, что положительно скажется на быстродействии компьютера. В случае проблемных модулей рекомендуется уменьшить период до 7.8 us.

Оперативная память типа DDR SDRAM. DDR SDRAM – самый перспективный тип памяти. Фактически, это SDRAM с удвоенной скоростью доступа и, как следствие, практически все параметры работы памяти DDR SDRAM аналогичны обычной SDRAM. Дополнительные и отличающиеся по названию опции:

- DDR Timing by SPD – опция аналогична SDRAM Configuration.

- DRAM Timing setting by – опция аналогична SDRAM Configuration.

- DDR Frequency – опция аналогична DRAM Clock.

- DRAM РН Limit – число последовательных пакетных циклов обращения к памяти при поступлении запроса на обычный цикл чтения или записи, рекомендуемое значение 8 Cycle.

- DRAM Idle Limit – опция аналогична DRAM Idle Timer.

- DRAM Trc Timing Value — задает количество тактов цикла обращения к тому же банку памяти. Типичное значение 8 Cycle, в случае качественной памяти можно попробовать установить 7 Cycle и менее.

- DRAM Trp Timing Value – опция задает количество тактов между окончанием регенерации и обращением к памяти. Типичное значение – 3 Cycle, в случае качественной памяти рекомендуется установить – 2 Cycle.

- DRAM Tras Timing Value – устанавливает количество тактов между обращением к памяти и началом регенерации. Типичное значение 7 Cycle, в случае качественной памяти рекомендуется уменьшить значение.

- SDRAM Trcd Timing Value – опция аналогична SDRAM RAS To CAS Delay.

- DDR Refresh Rate (SDRAM Refresh Rate, Refresh Mode Select) – опция аналогична SDRAM Refresh Rate.