Справочные данные. 1.Рекомбинационное излучение в полупроводник

,

Кл.

Контрольный вопросы

1.Рекомбинационное излучение в полупроводниках и методы его возбуждения.

2. Пояснить механизмы излучательной рекомбинации в полупроводниках.

3. Особенности излучательной рекомбинации в полупроводниках с прямым и непрямыми переходами.

4. Вольтамперные характеристики p-n-переходов и различные модели рекомбинации в них.

5. Дать понятие квантовой эффективности, к.п.д. светодиодов.

6. Пояснить методику измерения мощности излучения GaAs-светодиодов.

ЛИТЕРАТУРА

1. Ф. Е. Шуберт. Светодиоды /Пер. с англ. под ред. А. Э. Юновича. – 2-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008.

2. А. Н. Игнатов. Оптоэлектроника и нанофотоника: Учебное пособие.-Спб.: Издательство «Лань», 2011.

3. А. Е. Юнович. Излучательная рекомбинация в p-n-переходах в полупроводниках. Сб. статей "Инжекционная электролюминесценция" Тарту,1968.

4. Г. Е. Пикус. Оcновы теории полупроводниковых приборов. Изд-во «НАУКА», М, 1965.

Лабораторная работа №5