2015-05-12
299
Выходные статические характеристики:
= 
| 
.
| 
'| > | ''| > | '''| > 0.
Эти характеристики во 2-й части больше, нежели у транзистора с p-n-переходом.
1 – режим насыщения;
2 – участок активного режима.
Возможны два типа пробоя:
1. Пробой между карманом и подложкой.
2. Пробой между затвором и подложкой.
Пробой между карманом и подложкой – это обычный лавинный пробой. Он является обратимым.
Пробой между затвором и полупроводником необратимый – между ними возникает проводящий канал.
В некоторых полевых транзисторах с изолированным затвором затвор соединяют с подложкой или истоком через защитный стабилитрон. В случае попадания на затвор опасного потенциала происходит пробой стабилитрона, и потенциал будет невелик.
Недостаток: увеличивается ток затвора.
Характеристики передачи:
= 
| 
.
При увеличении напряжения 
характеристика поднимается вверх. Пороговое напряжение не зависит от .
Наблюдается температурная зависимость.
1 – при увеличении температуры уменьшается подвижность носителей, уменьшается крутизна транзистора.
|
|
|
2 – с увеличением температуры уровень Ферми смещается в сторону середины запрещённой зоны. По этой причине инверсный слой в полупроводнике возникает при меньших пороговых напряжениях.
1 – первая термостабильная точка полевого транзистора, которая наблюдается при малых токах стока. Ток стока не зависит от температуры.
Полевые транзисторы больше защищены от перегрева, чем биполярные транзисторы.
