Транзисторная логика с непосредственными связями (ТЛНС) основана на параллельном соединении транзисторных ключей с общей коллекторной нагрузкой (рис. 3.10). Управляющие сигналы Х1, и Х2 подаются на базы транзисторов VT1 и VT2 с коллекторов предыдущих ЛЭ и имеют размах от до уровня . Если на входы Х1, и Х2 поданы сигналы , то транзисторы VT1 и VT2 заперты, ток от источника Ек течет через резистор Rк в базовую цепь транзистора VТЗ и на выходе ЛЭ устанавливается напряжение .
Если на одном из входов действует высокий уровень , то соответствующий транзистор открывается и на выходе ЛЭ устанавливается напряжение , недостаточное для отпирания транзистора VТЗ. Такой же (рис. 3.10) уровень получается при отпирании обоих транзисторов. Следовательно, ЛЭ выполняет операцию ИЛИ–НЕ с логическим перепадом .
Серьезным недостатком рассмотренной схемы является неравномерное распределение токов между базами нагрузочных транзисторов, что делает работу схемы ненадежной. Чтобы выровнять базовые токи в базовые цепи включают резисторы с сопротивлением порядка сотен Ом. При этом уровень логической единицы возрастает до 1,5...2 В. Такая схема называется транзисторной логикой с резистивной связью (РТЛ).
|
|
Рис. 3.10
Включение резисторов в базовые цепи делает схему менее быстродействующей, так как при этом увеличивается длительность фронта в транзисторном ключе. Повысить быстродействие удается путем включения конденсаторов, шунтирующих базовые резисторы. Такая схема называется транзисторной логикой с резистивно-емкостной связью (РЕТЛ).
Схемы РТЛ и РЕТЛ применялись на первом этапе развития микроэлектроники. Схема ТЛНС получила свое дальнейшее развитие в логических элементах с инжекционным питанием.