2015-05-26
301
Обозначение на схемах
Устройство
В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя чередующимися областями различной электропроводности (рис. 1), которые образуют два p-n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя – электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p-n-p. У транзистора структуры n-p-n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними – область с дырочной электропроводностью (рис. 1,б).
Рис. 1. Схематическое устройство транзисторов структуры p-n-p и n-p-n
Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область – эмиттером, вторую крайнюю область – коллектором. Это три электрода транзистора. p-n переход транзистора, находящийся между коллектором и базой – называется коллекторным переходом, а между эмиттером и базой – эмиттерным.
Симметричные структуры биполярных транзисторов, показанные на рис. 1 являются идеальными. Структура реального транзистора несимметрична (рис. 2). Площадь коллекторного перехода значительно больше, чем эмиттерного.
Рис. 2. Упрощенная схема поперечного разреза биполярного n-p-n транзистора
