Основные параметры биполярного транзистора

1.Коэффициент усиления по току – соотношение тока коллектора I_К к току базы I_Б. Обозначается hf или h21.

h21 - величина постоянная для одного транзистора, и зависит от физического строения прибора. Высокий коэффициент усиления исчисляется в сотнях единиц, низкий - в десятках. Чем больше численное значение коэффициента h21, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

2. Обратный ток коллектора I_КБО – это неуправляемый ток через коллекторный p-n переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра I_КБО меньше, тем выше качество транзистора.

3.Входное сопротивление – с опротивление в транзисторе, которое «встречает» ток базы. Обозначается R_IN (R_ВХ). Чем оно больше – тем лучше для усилительных характеристик прибора, поскольку со стороны базы обычно находиться источник слабого сигнала, у которого нужно потреблять как можно меньше тока. Идеальный вариант – это когда входное сопротивление равняется бесконечность.

R_ВХ для среднестатистического биполярного транзистора составляет несколько сотен КОм.

4. Граничная частота коэффициента передачи тока f_ГР – позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Выражается в КГц или МГц

При конструировании радиотехнических устройств надо учитывать и такие параметры как максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер U_{КЭ max}, максимально допустимый ток коллектора I_{К max}, максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора транзистора P_{К max}.