2015-05-26
628
Прямое включение р-n-перехода
Включение, при котором полярность источника совпадает с полярностью основного носителя, называют прямым.
Действие прямого напряжения поясняется потенциальной диаграммой (рис. 6).
Рис. 6.
Прямое включение
р-n-перехода
| Электрическое поле, создаваемое внешним источником (Е вн), действует навстречу полю контактной разности потенциалов. Высота потенциального барьера уменьшается и становится равной  .
Диффузионный ток возрастает, т.к. большее число основных носителей может преодолеть потенциальный барьер.
В то же время дрейфовый ток уменьшается по той же причине, а также из-за уменьшения ширины р-n -перехода (рис. 6, L 1< L). Уменьшение ширины снижает вероятность захвата полем перехода неосновных носителей. В результате ток перехода уже не равен нулю:
I пер= I диф +I др≠0.
Ток, возникающий при прямом включении, называется прямым током р-n- перехода. Он обусловлен диффузионным током основных носителей.
|
Обратное включение р-n-перехода
Включение, при котором полярность источника не совпадает с полярностью основного носителя называется обратным.
В этом случае электрическое поле, создаваемое внешним источником, складывается с полем контактной разности потенциалов (рис. 7).
Рис. 7.
Обратное включение
р-n-перехода
| Результирующее поле усиливается, а потенциальный барьер становится равным  .
Уже при небольшом повышении барьера диффузионное перемещение основных носителей через переход практически прекращается, т.е. I диф = 0, так как их энергии недостаточны для преодоления барьера. Дрейфовый ток незначительно увеличивается из-за увеличения разности потенциалов и ширины р-n -перехода (L 2> L). Общий ток перехода становится равным I пер= -I др= I 0.
Ток, проходящий через p-n -переход при обратном включении, называется обратным. Он обусловлен дрейфовым током неосновных носителей.
Поскольку концентрация неосновных носителей на несколько порядков меньше, чем основных, то
|
и ток в обратном направлении во много раз меньше. Вследствие этого обратное сопротивление перехода больше прямого.
