Если в контакте металла с полупроводником n-типа (рис. 8) работа выхода электронов из металла Ам меньше, чем работа выхода из полупроводника Аn, то будет преобладать выход электронов из металла в полупроводник.
В слое полупроводника около границы накапливаются основные носители (электроны), и этот слой становится обогащенным, т.е. в нем увеличивается концентрация электронов. Сопротивление этого слоя будет малым при любой полярности приложенного напряжения.
Такой переход не обладает выпрямляющим свойством. Его называют невыпрямляющим (омическим) контактом.
Рис. 8. Омический переход
Подобный же невыпрямляющий переход получается в контакте металла с полупроводником p-типа (рис. 8), если работа выхода электронов из полупроводника меньше, чем работа выхода из металла (Аnр<Ам). В этом случае из полупроводника в металл уходит больше электронов, чем в обратном направлении. В приграничном слое полупроводника также образуется область, обогащенная основными носителями (дырками), имеющая малое сопротивление.
Оба типа невыпрямляющих контактов широко используются в полупроводниковых приборах при устройстве выводов от n- и p-областей. Для этой цели подбираются соответствующие металлы.