Изучение однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией

Снятие статических характеристик транзисторов

Рис. 1. Схема для снятия статических характеристик

1.1. Снятие семейства входных характеристик:

	0,37	0,5	0,53	0,56	0,57	0,62	0,64	0,65	0,67	0,68	0,6	0,62	0,63	0,66	0,67	0,61	0,62	0,64	0,65	0,66

Графики:

Снятие семейства выходных характеристик

Iб,мкА
Uкэ,В
Iк,мА						1,53	1,56	1,57	1,58	1,6	3,17	3,24	3,29	3,36	3,4	4,92	5,02	5,13	5,2	5,3	6,71	6,84	7,04	7,08	7,094

Графики:

Определение h-параметров

Изучение однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией

Рис. 2. Однокаскадный усилитель с общим эмиттером с температурной стабилизацией

Параметры схемы: транзистор VT, резисторы R_б1=33 кОм, R_б2=3,6 кОм, R_к=1 кОм, R_э=100 Ом, R_н=910 Ом, С₁=10,0 мкФ, С₂=10,0 мкФ, С_э=10,0 мкФ.

Режим холостого хода	Измерено	Uвх,мВ
Uвых,В		0,58	1,8		4,3	5,4
Вычислено	Кuxx
Iвх,мкА		6,67		33,3	46,67
Режим нагрузки	Измерено	Uвх,мВ
Uвых,В		0,28	0,88	1,4	1,9	2,5
Вычислено	Кu			29,33		27,14	27,77
Iвх,мкА		6,67		33,3	46,67
Iвых,мА		0,308	0,967	1,53	2,08	3,07
КI		46,17	48,35	45,9	44,56	57,16
Кp		1292,76		1285,2		1420,71

Осциллограмма зависимости входного и выходного напряжений: