Исследование однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе по схеме с общим коллектором

Рис. 3. Однокаскадный усилитель с общим коллектором

Параметры схемы: транзистор VT, R_б=39 кОм, R_э=1 кОм, R_н=9 кОм, С₁=10,0 мкФ, С₂=10,0 мкФ

Режим холостого хода	Измерено	U_вх,В						8,1
U_вых,В						8,1
Вычислено	К_uxx
I_вх,мкА		11,49	33,70	56,17	78,65	91,01
Режим нагрузки	Измерено	U_вх,В						8,1
U_вых,В						7,7
Вычислено	К_u						0,75
I_вх,мкА		11,49	33,70	56,17	78,65	91,01
I_вых,мА		111,1	333,33	555,55	777,77
К_I		9,66	9,89	9,89	9,88	9,88
К_p		9,66	9,89	9,89	9,88	9,88

Осциллограмма зависимости входного и выходного напряжений:

Построение амплитудно-частотной характеристики усилительного каскада с общим эмиттером

f, Гц
U_вых,мВ

Вывод:

В ходе проведения лабораторной работы я исследовал статические характеристики и параметры биполярного транзистора, а также одиночный усилительный каскад с общим эмиттером и общим коллектором.