(к лабораторным работам 3.07 и 3.08)
Образование и характеристики энергетических зон в кристаллах. Заполнение энергетических зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники. Механизм собственный и примесной проводимости полупроводников. Энергетические диаграммы собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации собственных и примесных носителей полупроводников от температуры. Подвижность носителей в полупроводниках. Зависимость подвижности носителей от температуры. Температурная зависимость проводимости собственных и примесных полупроводников. Энергия активации собственной и примесной проводимости и её определение по графику ln от 1/T.
ИЗУЧЕНИЕ ФОТОПРОВОДИМОСТИ
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Лабораторная работа 3.09
Цель работы: определение параметров фотосопротивления ФСК-1 и изучение его вольт - амперной и световой характеристик.
Принадлежности: установка для изучения фотосопротивления ФСК-1, люксметр.